Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-어레이 > PMWD16UN,518
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
1022096

PMWD16UN,518

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    PMWD16UN,518
  • 제조업체 / 브랜드
    Freescale / NXP Semiconductors
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    PMWD16UN,518.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    700mV @ 1mA
  • 제조업체 장치 패키지
    8-TSSOP
  • 연속
    TrenchMOS™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    19 mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • 전력 - 최대
    3.1W
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 다른 이름들
    568-2360-2
    934057596518
    PMWD16UN /T3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1366pF @ 16V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    23.6nC @ 4.5V
  • FET 유형
    2 N-Channel (Dual)
  • FET 특징
    Logic Level Gate
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    20V
  • 상세 설명
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9.9A 3.1W Surface Mount 8-TSSOP
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    9.9A

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

2024년10월8일

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

2024년9월26일
배송
지불
다음은 "PMWD16UN,518"관련 제품입니다.
PMWD30UN,518

PMWD30UN,518

기술: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
RFQ
2N7002DWQ-7-F

2N7002DWQ-7-F

기술: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
NTTFS5C471NLTAG

NTTFS5C471NLTAG

기술: AFSM T6 40V LL U8FL

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
PMWD15UN,518

PMWD15UN,518

기술: MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
RFQ
PMWD20XN,118

PMWD20XN,118

기술: MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
RFQ
NVMFD5875NLWFT3G

NVMFD5875NLWFT3G

기술: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
PMWD26UN,518

PMWD26UN,518

기술: MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
RFQ
AO4828

AO4828

기술: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8-SOIC

제조업체: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
유품
RFQ
SQS944ENW-T1_GE3

SQS944ENW-T1_GE3

기술: MOSFET N-CHAN 40V

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
IRF7351TRPBF

IRF7351TRPBF

기술: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
EFC6612R-A-TF

EFC6612R-A-TF

기술: MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
ALD111933SAL

ALD111933SAL

기술: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices, Inc.
유품
RFQ
SI1965DH-T1-GE3

SI1965DH-T1-GE3

기술: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
FDC6561AN

FDC6561AN

기술: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
APTM100AM90FG

APTM100AM90FG

기술: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
94-3449

94-3449

기술: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
PMWD19UN,518

PMWD19UN,518

기술: MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
RFQ
SIZF906DT-T1-GE3

SIZF906DT-T1-GE3

기술: MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
APTM100H45SCTG

APTM100H45SCTG

기술: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APTC60HM24T3G

APTC60HM24T3G

기술: MOSFET 4N-CH 600V 95A SP3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.