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W979H6KBQX2I

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유품
168+
$6.886
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규격
  • 제품 모델
    W979H6KBQX2I
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.14 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 제조업체 장치 패키지
    168-WFBGA (12x12)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    168-WFBGA
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 400MHz 168-WFBGA (12x12)
  • 클럭 주파수
    400MHz
W979H2KBQX2I

W979H2KBQX2I

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W979H2KBQX2E

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W97AH2KBQX2E

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W978H6KBVX2I

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W978H2KBVX2I

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W979H6KBVX2E TR

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W97AH6KBQX2I

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W979H6KBQX2E

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W978H6KBQX2E

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제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W97AH2KBVX2I

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제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W979H6KBVX2I TR

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W979H2KBVX2E

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

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W97AH2KBQX2I

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W97AH2KBVX2E

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W97AH6KBQX2E

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