Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 집적회로 (ic) > 메모리 > W97AH2KBQX2E
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
1835973

W97AH2KBQX2E

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
168+
$7.756
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    W97AH2KBQX2E
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.14 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 제조업체 장치 패키지
    168-WFBGA (12x12)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    168-WFBGA
  • 작동 온도
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    1Gb (32M x 32)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (32M x 32) Parallel 400MHz 168-WFBGA (12x12)
  • 클럭 주파수
    400MHz
W97AH2KBQX2I

W97AH2KBQX2I

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W97AH6KBVX2E

W97AH6KBVX2E

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W979H2KBVX2I

W979H2KBVX2I

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W97AH2KBVX2I

W97AH2KBVX2I

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W979H6KBVX2I

W979H6KBVX2I

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W97AH6KBQX2E

W97AH6KBQX2E

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W97BH2KBQX2E

W97BH2KBQX2E

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W97AH6KBQX2I

W97AH6KBQX2I

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W979H6KBVX2I TR

W979H6KBVX2I TR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W979H2KBVX2E

W979H2KBVX2E

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W979H6KBQX2E

W979H6KBQX2E

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W97AH6KBVX2I

W97AH6KBVX2I

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W979H2KBQX2I

W979H2KBQX2I

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W97AH6KBVX2E TR

W97AH6KBVX2E TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W979H6KBVX2E TR

W979H6KBVX2E TR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W979H6KBVX2E

W979H6KBVX2E

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W979H2KBQX2E

W979H2KBQX2E

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W97AH2KBVX2E

W97AH2KBVX2E

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W97AH6KBVX2I TR

W97AH6KBVX2I TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W979H6KBQX2I

W979H6KBQX2I

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오