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SemiQ

SemiQ

소개

SemiQ 2007 년에 설립 된 Global Power Technologies Group, Inc. (이하 "GPTG")는 SiC (Silicon Carbide) 기술을 기반으로하는 제품에 전념 한 통합 개발 및 제조 회사입니다. 이 제품들은 저비용, 고효율 전력 생산, 변환 및 전송을 위해 첨단 기술이 필요한 미래의 전력 전자 및 에너지 산업의 기초가 될 것입니다.

관련 뉴스

범주
7
제품 센터
373

이산 반도체 제품

GHXS050A060S-D3

GHXS050A060S-D3

기술: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GDP12S060D

GDP12S060D

기술: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO263-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M010A065H

GP2M010A065H

기술: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D005A120C

GP2D005A120C

기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D060A120U

GP2D060A120U

기술: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D010A065C

GP2D010A065C

기술: DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO252

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD160A018S1-D3

GSXD160A018S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 180V 160A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS080A120S1-E1

GHIS080A120S1-E1

기술: SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M013A050F

GP2M013A050F

기술: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GDP50P120B

GDP50P120B

기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D020A120B

GP2D020A120B

기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO247-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M005A050FG

GP2M005A050FG

기술: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M016A025HG

GP1M016A025HG

기술: MOSFET N-CH 250V 16A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M008A050CG

GP1M008A050CG

기술: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GCMS040A120B1H1

GCMS040A120B1H1

기술: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GDP60Y120B

GDP60Y120B

기술: DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO247-3

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GDP03S060C

GDP03S060C

기술: DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M005A050PG

GP2M005A050PG

기술: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD060A018S1-D3

GSXD060A018S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 180V 60A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GDP48Y060B

GDP48Y060B

기술: DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO247-3

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXF120A120S1-D3

GSXF120A120S1-D3

기술: DIODE FAST REC 1200V 120A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M002A065FG

GP2M002A065FG

기술: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD160A020S1-D3

GSXD160A020S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 200V 160A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

기술: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M006A070F

GP1M006A070F

기술: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M020A060N

GP1M020A060N

기술: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GPA030A120I-FD

GPA030A120I-FD

기술: IGBT 1200V 60A 329W TO247

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GPA040A120L-FD

GPA040A120L-FD

기술: IGBT 1200V 80A 480W TO264

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXF120A100S1-D3

GSXF120A100S1-D3

기술: DIODE FAST REC 1000V 120A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M005A060FG

GP2M005A060FG

기술: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GDP24P060B

GDP24P060B

기술: DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO247-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M004A065FG

GP2M004A065FG

기술: MOSFET N-CH 650V 4A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS030A060S-D4

GHXS030A060S-D4

기술: DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M010A065F

GP2M010A065F

기술: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D003A065A

GP2D003A065A

기술: DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M004A060PG

GP2M004A060PG

기술: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS025A120T1P2

GHIS025A120T1P2

기술: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M008A050HG

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기술: MOSFET N-CH 500V 8A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS030A120S-D3

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기술: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M009A090FH

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기술: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD050A018S1-D3

GSXD050A018S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 180V 50A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS045A120S-D4

GHXS045A120S-D4

기술: DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M003A050CG

GP1M003A050CG

기술: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M008A025HG

GP1M008A025HG

기술: MOSFET N-CH 250V 8A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD120A018S1-D3

GSXD120A018S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 180V 120A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M005A060PG

GP2M005A060PG

기술: MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M005A050FSH

GP1M005A050FSH

기술: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXF100A020S1-D3

GSXF100A020S1-D3

기술: DIODE FAST REC 200V 120AA SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D005A170B

GP2D005A170B

기술: DIODE SCHOTTKY 1700V 5A TO247-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GDP30S120B

GDP30S120B

기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품

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