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Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

소개

Winbond Electronics Corporation - Winbond Electronics Corporation은 전세계 고객에게 최고 품질의 메모리 솔루션을 제공하기 위해 설계, 제조 및 판매 서비스에 종사하는 메모리 IC 회사입니다. Winbond의 제품 라인에는 코드 스토리지 플래시 메모리, 직렬 및 병렬 NAND, 특수 DRAM 및 모바일 DRAM이 포함됩니다.
Winbond 제품은 컴퓨팅, 연결된 멀티미디어 장치, 자동차, 네트워킹 시스템 및 산업과 같은 IoT 수직 시장의 회사에서 널리 사용됩니다. Winbond는 수명이 긴 자동차 및 산업용 플러스 등급 플래시 및 DRAM 제품을 제공합니다. Winbond는 대만 타이 중 본사에 12 인치 FAB를 포함하여 전 세계적으로 약 2,200 명의 직원을 보유하고 있습니다.

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범주
1
제품 센터
1,275

집적회로 (ic)

W25X16VSFIG

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기술: IC FLASH 16M SPI 75MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64FVZPIG TR

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기술: IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9812G2KB-6I

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W948D6KBHX5I TR

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기술: IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128BVEJG

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기술: IC FLASH MEMORY 128MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X20CLSVIG

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기술: IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8VSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80DVUXIE TR

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기술: IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8USON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W979H6KBVX2I TR

W979H6KBVX2I TR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32BVTBJP

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기술: IC FLASH MEMORY 32MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16VSSIG

W25Q16VSSIG

기술: IC FLASH 16M SPI 80MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X40CLSSIG TR

W25X40CLSSIG TR

기술: IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X40CLDAIG

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기술: IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8DIP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W979H2KBVX2E

W979H2KBVX2E

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GU8MB12I

W632GU8MB12I

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80BLZPIG

W25Q80BLZPIG

기술: IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVBJQ

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기술: IC FLASH MEMORY 128MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16FWSSIQ TR

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기술: IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9751G8KB-25

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16DVDAIG

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기술: IC FLASH 16MBIT 104MHZ 8DIP

제조업체: Winbond Electronics
유품
W29GL064CB7B

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기술: IC FLASH 64M PARALLEL 64LFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GG6MB11I

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기술: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9751G6IB-25

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GU6MB-12

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 96VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVCIF

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기술: IC FLASH 128M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9464G6JH-5I

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16CLSVIG

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기술: IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8VSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W956D6HBCX7I TR

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기술: IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32DWZPIG TR

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기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVEIG

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기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVEIF TR

W25Q128FVEIF TR

기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9825G6JH-6I

W9825G6JH-6I

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVPIQ

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기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80JVSNIQ TR

W25Q80JVSNIQ TR

기술: IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W978H6KBQX2E

W978H6KBQX2E

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W972GG8JB-3I

W972GG8JB-3I

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W971GG8KB25I

W971GG8KB25I

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64FVTCIP

W25Q64FVTCIP

기술: IC FLASH 64M SPI 104MHZ 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80EWSNIG

W25Q80EWSNIG

기술: IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVBIP

W25Q128FVBIP

기술: IC FLASH 128M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64FVZEIF

W25Q64FVZEIF

기술: IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVAIG

W25Q128FVAIG

기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8DIP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W971GG6SB-25 TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FVXGJQ TR

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기술: IC FLASH MEMORY 32MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FWSSIQ

W25Q32FWSSIQ

기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GG6KB11I

W632GG6KB11I

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GG8MB12I TR

W631GG8MB12I TR

기술: IC SDRAM 1G 800MHZ IND 78BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80DLSNIG

W25Q80DLSNIG

기술: IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q40BWUXIE TR

W25Q40BWUXIE TR

기술: IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8USON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9864G6KH-5 TR

W9864G6KH-5 TR

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W947D2HBJX6E

W947D2HBJX6E

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
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