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Winbond Electronics Corporation

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Winbond Electronics Corporation

소개

Winbond Electronics Corporation - Winbond Electronics Corporation은 전세계 고객에게 최고 품질의 메모리 솔루션을 제공하기 위해 설계, 제조 및 판매 서비스에 종사하는 메모리 IC 회사입니다. Winbond의 제품 라인에는 코드 스토리지 플래시 메모리, 직렬 및 병렬 NAND, 특수 DRAM 및 모바일 DRAM이 포함됩니다.
Winbond 제품은 컴퓨팅, 연결된 멀티미디어 장치, 자동차, 네트워킹 시스템 및 산업과 같은 IoT 수직 시장의 회사에서 널리 사용됩니다. Winbond는 수명이 긴 자동차 및 산업용 플러스 등급 플래시 및 DRAM 제품을 제공합니다. Winbond는 대만 타이 중 본사에 12 인치 FAB를 포함하여 전 세계적으로 약 2,200 명의 직원을 보유하고 있습니다.

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범주
1
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1,275

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관련 제품

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W631GG6MB-11 TR

W631GG6MB-11 TR

기술: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q32JVTBIQ TR

W25Q32JVTBIQ TR

기술: IC FLASH 32M SPI 133MHZ 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q64CVSSIG

W25Q64CVSSIG

기술: IC FLASH 64M SPI 80MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25X20CLZPIG

W25X20CLZPIG

기술: IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W632GG8MB-11

W632GG8MB-11

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W632GG6KB15I

W632GG6KB15I

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25M02GVTCIG TR

W25M02GVTCIG TR

기술: IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q32BVSFJP TR

W25Q32BVSFJP TR

기술: IC FLASH MEMORY 32MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9412G6JH-5I

W9412G6JH-5I

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W948D2FBJX6E TR

W948D2FBJX6E TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q64CVZPJG TR

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기술: IC FLASH MEMORY 64MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W971GG8SB25I TR

W971GG8SB25I TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W632GU6AB-15

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q32JVZPIQ TR

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기술: IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W631GU6KB12J

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기술: IC SDRAM 1GBIT 96BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q32JVDAIQ

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기술: IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8DIP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q128FVTIG

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기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W948D6FBHX6I

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기술: IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q16CVSFIG

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기술: IC FLASH 16M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q40CLSNIG

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기술: IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q40BWSVIG TR

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기술: IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8VSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q20CLZPIG

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기술: IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W632GG6KB-11

W632GG6KB-11

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q128FVBIG

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기술: IC FLASH 128M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W989D6DBGX6I TR

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q128FVEIG TR

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기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q64FVSSIP

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기술: IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q256FVCIG

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기술: IC FLASH 256M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
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W25Q32FVTCJQ TR

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기술: IC FLASH MEMORY 32MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q32BVZPJG

W25Q32BVZPJG

기술: IC FLASH MEMORY 32MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q32JVSFIQ TR

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기술: IC FLASH 32M SPI 133MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q128FVCIP

W25Q128FVCIP

기술: IC FLASH 128M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9825G6KH-6

W9825G6KH-6

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q256FVEIF

W25Q256FVEIF

기술: IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W94AD6KBHX5E TR

W94AD6KBHX5E TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W631GG8KB-12

W631GG8KB-12

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W632GU6MB15I TR

W632GU6MB15I TR

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q64CVTBIG TR

W25Q64CVTBIG TR

기술: IC FLASH MEMORY 64MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W631GU6MB-12 TR

W631GU6MB-12 TR

기술: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W972GG6JB-3I TR

W972GG6JB-3I TR

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W971GG6KB25I TR

W971GG6KB25I TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q32FVSFIG

W25Q32FVSFIG

기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W948D6FBHX5J

W948D6FBHX5J

기술: IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W29GL512SH9B

W29GL512SH9B

기술: IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q32FVDAIQ TR

W25Q32FVDAIQ TR

기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8DIP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q20EWUXIE TR

W25Q20EWUXIE TR

기술: IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8USON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W29N02GVBIAA

W29N02GVBIAA

기술: IC FLASH 2G PARALLEL 63FBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q16BVSFIG

W25Q16BVSFIG

기술: IC FLASH 16M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q32JVTCIQ

W25Q32JVTCIQ

기술: IC FLASH 32M SPI 133MHZ 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W632GU8KB12I TR

W632GU8KB12I TR

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
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