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Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

소개

Winbond Electronics Corporation - Winbond Electronics Corporation은 전세계 고객에게 최고 품질의 메모리 솔루션을 제공하기 위해 설계, 제조 및 판매 서비스에 종사하는 메모리 IC 회사입니다. Winbond의 제품 라인에는 코드 스토리지 플래시 메모리, 직렬 및 병렬 NAND, 특수 DRAM 및 모바일 DRAM이 포함됩니다.
Winbond 제품은 컴퓨팅, 연결된 멀티미디어 장치, 자동차, 네트워킹 시스템 및 산업과 같은 IoT 수직 시장의 회사에서 널리 사용됩니다. Winbond는 수명이 긴 자동차 및 산업용 플러스 등급 플래시 및 DRAM 제품을 제공합니다. Winbond는 대만 타이 중 본사에 12 인치 FAB를 포함하여 전 세계적으로 약 2,200 명의 직원을 보유하고 있습니다.

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범주
1
제품 센터
1,275

집적회로 (ic)

W971GG6KB25I

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9425G6KH-5

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W949D2DBJX5I

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기술: IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 90BGA

제조업체: Winbond Electronics
유품
W25Q64FVSFIG TR

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기술: IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64FVTBJQ

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기술: IC FLASH MEMORY 64MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25B40VSNIG

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기술: IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16DWSSIG

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기술: IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80JVSVIQ

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기술: IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8VSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GU6MB-11 TR

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기술: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W97BH6KBVX2I

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128JVCIQ

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기술: IC FLASH 128M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9751G6KB-25 TR

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GG8MB15I

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FVXGJQ

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기술: IC FLASH MEMORY 32MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W98AD6KBGX6E TR

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기술: 1GB MSDR X16 166MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FVSSIF

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기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9725G8KB-25

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X40CVSSIG

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기술: IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9751G8KB25I TR

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q256FVEJF TR

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기술: IC FLASH MEMORY 256MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q257FVFIG TR

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기술: IC FLASH 256MBIT 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GU6MB12I

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기술: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W948D6FBHX5E TR

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GG6MB15I

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기술: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9816G6JH-6I TR

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기술: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVFIQ

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기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W972GG6KB-25

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기술: IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 84BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128BVBJP

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기술: IC FLASH MEMORY 128MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16JVZPIQ

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기술: IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q256FVCIF TR

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기술: IC FLASH 256M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X40CLSSIG

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기술: IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FVTCJF

W25Q32FVTCJF

기술: IC FLASH MEMORY 32MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GG6KS-12 TR

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기술: IC SDRAM 1GBIT 96BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X16VSSIG T&R

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기술: IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16BVSSIG TR

W25Q16BVSSIG TR

기술: IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29GL512SH9T TR

W29GL512SH9T TR

기술: IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X80AVSSIG

W25X80AVSSIG

기술: IC FLASH 8M SPI 100MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GG6KB-12

W632GG6KB-12

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W972GG6JB-3I

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9412G6KH-4

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q256FVEIP TR

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기술: IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W978H2KBQX2E

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W971GG6SB25I TR

W971GG6SB25I TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W971GG6SB-18 TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FWSTIG

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기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8VSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29GL032CH7T

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기술: IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9864G2JB-6I TR

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9425G6JB-5I TR

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GU6MB-11

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기술: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GU8MB12I

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기술: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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